引言磁控溅射是一种常见的物理气相沉积方法，具有沉积温度低、沉积速度快、方便多个靶材进行材料合成等优点，常用于金属[1-3]、半导体[4-6]、绝缘体[7-9]等多种薄膜材料的制备...

以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等为代表的第三代半导体正在快速发展，在新一代电子器件、通信、交通及新能源等领域有着重要的应用前景，其关乎国内工业体系的安全和长远发展，也是各国争...

前言磁控溅射镀膜属于物理气相沉积，离子在电场加速下高速轰击阴极靶材，靶材原子被溅射出来后沉积到被镀膜体表面而形成薄膜，是用来制备薄膜材料的一种主要方法[1]。它的基本原...

随着人们环保意识的增强，材料的表面镀膜技术由传统的电镀及化学镀技术逐渐过渡到真空溅射镀膜技术。真空磁控溅射镀膜技术已经在五金装饰镀层、表面保护镀层、电子产品镀层、...

钌(Ru)位于元素周期表中Ⅷ族和第五周期，为铂族金属，与锇元素性质最为相似。1840 年，俄国人克劳斯在处理矿渣时，偶然发现了贵金属钌，这是钌的首次发现，是贵金属元素中被发现最晚的...

一、产品名称：钛棒、TC4钛棒、钛合金棒钛合金TC4性能介绍：钛合金TC4是钛合金材料中应用最普遍的合金之一，钛合金TC4材料的组成为Ti-6Al-4V，属于(α+β)型钛合金，具有良好的综合力...

一、产品名称：钛环 、钛锻件牌号、状态和规格应符合表1的规定表1牌号供应状态产品形式规格，mm外径内径截面高度环材壁厚TA0、TA1、TA2、TA3、TA9、TA10、TC4热加工状（R）退火状态...

1 应用背景半导体芯片行业是金属溅射靶材的主要应用领域之一，也是对靶材的成分、组织和性能要求最高的领域。具体地，半导体芯片的制作过程可分为硅片制造、晶圆制造和芯片封装...

引 言随着电子及信息产业的迅猛发展,对溅射靶材的需求不断增加,同时对其技术指标及靶材性能的要求也在不断提高。 难熔金属钼具有高熔点(2 620± 20 ℃)、高弹性模量(280 ~...

溅射靶材是电子信息产业 的关键原材料之一，其产品质量关系到溅射薄膜的品质和溅射设备的安全。溅射靶材种类繁多[1-5]。从 材质来说 ，包括铝及铝合金 、铜及铜合金 、镍及镍合...

一、产品名称：TA2钛环 、钛锻件牌号、状态和规格应符合表1的规定表1牌号供应状态产品形式规格，mm外径内径截面高度环材壁厚TA0、TA1、TA2、TA3、TA9、TA10、TC4热加工状（R）退火...

电子工业经历了由电子管、半导体集成电路及超大规模集成电路的发展历程，对人类社会的各个方面带来革命性的冲击。在集成电路的制程中，各类元件如二极管、三极管、电阻器及电容...

一、产品名称：钛锻件（钛饼、钛环、钛方块、钛法兰）主要牌号：TC4、Gr5执行标准：GB/T16598、ASTM B381、AMS4928等规格：(200~1500) x (200~1200) x (80~300)mm，可根据客户需求定制加...

一、产品名称：TA2钛环 、钛锻件牌号、状态和规格应符合表1的规定表1牌号供应状态产品形式规格，mm外径内径截面高度环材壁厚TA0、TA1、TA2、TA3、TA9、TA10、TC4热加工状（R）退火...

一、产品名称：钛锻件（钛饼、钛环、钛方块、钛法兰）主要牌号：TC4、Gr5执行标准：GB/T16598、ASTM B381、AMS4928等规格：(200~1500) x (200~1200) x (80~300)mm，可根据客户需求定制加...

一、产品名称：TA2钛环 、钛锻件牌号、状态和规格应符合表1的规定表1牌号供应状态产品形式规格，mm外径内径截面高度环材壁厚TA0、TA1、TA2、TA3、TA9、TA10、TC4热加工状（R）退火...

一、产品名称：钛靶材、纯钛靶材产品名称钛靶材 、钛板靶 、钛管靶 、钛平面靶形状圆靶，方靶，靶板，管靶材质国内牌号：TA1、TA2、TA3、TA7、TA9、TA10、TC4、TC4ELI、TC6、TC9、TC1...

一、产品名称：TA2钛环 、钛锻件牌号、状态和规格应符合表1的规定表1牌号供应状态产品形式规格，mm外径内径截面高度环材壁厚TA0、TA1、TA2、TA3、TA9、TA10、TC4热加工状（R）退火...

一、产品名称：钛锻件（钛饼、钛环、钛方块、钛法兰）主要牌号：TC4、Gr5执行标准：GB/T16598、ASTM B381、AMS4928等规格：(200~1500) x (200~1200) x (80~300)mm，可根据客户需求定制加...

一、产品名称：钛靶材、纯钛靶材产品名称钛靶材 、钛板靶 、钛管靶 、钛平面靶形状圆靶，方靶，靶板，管靶材质国内牌号：TA1、TA2、TA3、TA7、TA9、TA10、TC4、TC4ELI、TC6、TC9、TC1...